[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。包括在半导体衬底上形成图案化的硬掩膜，利用硬掩膜对半导体衬底进行刻蚀以形成的用于容置浅沟槽隔离的沟槽；在沟槽内形成浅沟槽隔离；去除硬掩膜，对有源区对应的半导体衬底进行氮注入，以在半导体衬底中形成氮注入区，其中位于有源区的边缘部分的氮注入区的氮浓度低于位于有源区的中心部分的氮注入区的氮浓度；在有源区内的半导体衬底上形成隧道氧化层，隧道氧化层的位于有源区边缘区域的部分的厚度大于隧道氧化层的位于有源区中心区域的部分的厚度；在隧道氧化层之上形成浮栅。本发明的方法可以在保证Flash的编程和擦除效率的情况下改善Flash的读应力和擦除干扰表现。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：步骤S101：在半导体衬底上形成图案化的硬掩膜，利用所述硬掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀以形成位于有源区两侧的用于容置浅沟槽隔离的沟槽；步骤S102：在所述沟槽内形成浅沟槽隔离；步骤S103：去除所述硬掩膜，对所述有源区对应的所述半导体衬底进行氮注入，以在所述半导体衬底中形成氮注入区，其中，位于所述有源区的边缘部分的氮注入区的氮浓度低于位于所述有源区的中心部分的氮注入区的氮浓度；步骤S104：在所述有源区内的半导体衬底上形成隧道氧化层，其中所述隧道氧化层的位于有源区边缘区域的部分的厚度大于所述隧道氧化层的位于有源区中心区域的部分的厚度；步骤S105：在所述隧道氧化层之上形成浮栅。