[发明专利]具有静电释放保护结构的半导体器件

摘要

本发明涉及一种具有静电释放保护结构的半导体器件，包括连接于所述半导体器件的栅极和源极之间的二极管，所述二极管包括二极管主体和连接于所述二极管主体两端、分别用于电性连接所述栅极和源极的两个连接部，所述衬底上设有两个相互分离的绝缘垫，两个所述绝缘垫之间的衬底表面设有绝缘层，所述二极管主体设于所述绝缘层上，两个连接部分别从所述二极管主体的一端延伸至该侧的绝缘垫上；所述二极管和两个绝缘垫上设有介质层，所述介质层上设有金属导线层。本发明需要整体淀积的介质层厚度更薄，对于厚介质处接触孔腐蚀的工艺难度也相应降低，在降低成本的同时提高了生产率。

主权项

1.一种具有静电释放保护结构的半导体器件，所述静电释放保护结构为连接于所述半导体器件的栅极和源极之间的二极管，所述半导体器件包括衬底、衬底上的场氧化层和栅氧化层，其特征在于，所述二极管包括二极管主体和连接于所述二极管主体两端、分别用于电性连接所述栅极和源极的两个连接部，所述衬底上设有两个相互分离的绝缘垫，两个所述绝缘垫之间的衬底表面设有厚度小于两个所述绝缘垫的绝缘层，所述二极管主体设于所述绝缘层上，两个连接部分别从所述二极管主体的一端延伸至该端所在侧的绝缘垫上；所述二极管和两个绝缘垫上设有介质层，所述介质层上设有金属导线层，所述金属导线层包括电性连接所述栅极的第一金属引出和电性连接所述源极的第二金属引出，所述第一金属引出和第二金属引出各通过一贯穿所述介质层的接触孔连接至一连接部。/n