[发明专利]一种制备高纯度硅颗粒的方法有效
| 申请号： | 201510632181.4 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105417545B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉;宗麟奇;崔屹 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明通过酸洗平均粒度小于40微米的原料硅颗粒，有效降低了原料硅中杂质的含量，获得了高纯度硅颗粒。该高纯度硅颗粒作为锂离子电池负极材料，表现出较好的循环能力和倍率能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纯度 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高纯度硅颗粒的方法，该方法包括：a)获得原料硅颗粒，所述原料硅颗粒的平均粒度小于或等于0.11微米；b)将所述原料硅颗粒在真空或非氧化气氛下热处理，热处理温度为500℃以上，热处理时间为30分钟以上；c)酸洗所述原料硅颗粒；步骤b)中所述非氧化气氛为惰性气体气氛、还原性气体气氛、或惰性气体和还原性气体的混合气氛；步骤c)酸洗包括：超声震荡含有原料硅颗粒的酸溶液。
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