[发明专利]倒装发光二极管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510625578.0 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336829B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.倒装发光二极管结构，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；其特征在于：所述第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；所述第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度；所述第一电极环环绕第一电极本体，且第一电极环与第一电极本体存在间隔；第二电极环环绕第二电极本体，且第二电极环与第二电极本体存在间隔。
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