[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510618058.7 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558490A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制作方法，其中方法包括提供其上形成有至少一个鳍状结构的衬底，其中，鳍状结构包括半导体层；在鳍状结构的表面上通过湿法成形工艺形成扩散湿层，该扩散湿层包含要扩散到半导体层的杂质；去除扩散湿层的一部分以露出鳍状结构的半导体层的上部；以及在去除扩散湿层之后，对鳍状结构进行热处理，以使扩散湿层中的杂质扩散到半导体层中。如此，在鳍状结构的半导体层的下部形成有效的防源漏穿通的掺杂区，从而消除了源漏穿通问题。另外，由于避免了现有技术中的用于防止源漏穿通的相对高能的离子注入，可避免离子注入造成的鳍状结构表面损伤，以及由于鳍状结构损伤引起载流子的迁移率降低、杂质失活的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供其上形成有至少一个鳍状结构的衬底，其中，所述鳍状结构包括半导体层；在所述鳍状结构的表面上通过湿法成形工艺形成扩散湿层，所述扩散湿层包含要扩散到所述半导体层的杂质；去除所述扩散湿层的一部分以露出所述鳍状结构的半导体层的上部；以及在所述去除之后，对所述鳍状结构进行热处理，以使所述扩散湿层中的杂质扩散到所述半导体层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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