[发明专利]晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法以及晶圆级测试有效
| 申请号： | 201510587195.9 | 申请日： | 2015-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105118530B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法以及晶圆级测试。向每个存储单元的两位数据写入第一逻辑状态组合；执行读取操作，其中向每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加逐渐加大的测试电压，同时对写入了第一逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位进行读取，从而确定每个存储单元的数据读取都正确的状态下的最小测试电压；向每个存储单元的两位数据写入与所述第一逻辑状态组合相反的第二逻辑状态组合；在向每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加所述最小测试电压的情况下读取经过写入了第二逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位的数据，并判断读取结果是否正确。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 读取 逻辑状态 存储数据位 晶圆级测试 测试电压 写入 读取电压 控制栅极 闪存单元 位数据 测试 施加 读取操作 读取结果 数据读取 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级测试中闪存单元读取电压测试方法，其中每个闪存单元具有一个存储单元具有两位存储数据位，其特征在于包括：第一状态写入步骤：向闪存单元阵列中的每个存储单元的两位数据写入第一逻辑状态组合；第一测试步骤：执行读取操作，其中向闪存单元阵列的每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加逐渐加大的测试电压，同时对写入了所述第一逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位进行读取，从而确定每个存储单元的数据读取都正确的状态下的最小测试电压；第二状态写入步骤：向闪存单元阵列中的每个存储单元的两位数据写入与所述第一逻辑状态组合相反的第二逻辑状态组合；第二测试步骤：在向闪存单元阵列的每个存储单元中的不被读取的存储数据位的控制栅极施加所述最小测试电压的情况下读取经过写入了所述第二逻辑状态组合的每个存储单元中的被读取的存储数据位的数据，并判断从每个存储单元读出的数据是不是第二状态写入步骤写入的数据；若是，则将所述最小测试电压与预定档位电压进行比较；如果所述最小测试电压小于或等于预定档位电压，则判断闪存阵列通过晶圆级测试。
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