[发明专利]TFT基板结构的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板结构的制作方法。本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半色调光罩通过一次曝光在平坦层上形成过孔与沟槽，通过半色调光罩上的半透光性的图案实现半曝光，在扇出区的平坦层上形成深度较浅的沟槽，从而使得扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免了在进行光阻曝光显影时沟槽角落处的光阻曝光不彻底而导致透明导电层在沟槽角落处残留的现象，进而避免了扇出区的金属线路之间出现短路的现象，同时不影响有效显示区的开口率，大大提高了液晶显示面板的显示品质；并通过加宽扇出区的平坦层上的沟槽的宽度，避免了由于沟槽坡度变缓、深度减少而带来的封框胶粘附力变差的现象，进而保证了液晶显示面板内的封框胶的粘附性不受影响。

主权项

1.一种TFT基板结构的制作方法，包括：步骤1、提供一基板(10)，所述基板(10)上设有薄膜晶体管；所述基板(10)包括有效显示区(11)和围绕所述有效显示区(11)的周边线路区(12)，所述周边线路区(12)包括扇出区(121)和非扇出区；在所述基板(10)上涂布形成平坦层(20)；其特征在于，包括：步骤2、提供第一光罩(50)，所述第一光罩(50)上具有对应于所述有效显示区(11)的第一图案(51)、对应于所述周边线路区(12)的非扇出区的第二图案(52)、及对应于所述扇出区(121)的第三图案(53)；所述第二图案(52)、第三图案(53)用于在所述周边线路区(12)的平坦层(20)上形成沟槽；所述第一光罩(50)为半色调光罩，所述第一图案(51)、第二图案(52)为全透光，所述第三图案(53)为半透光；利用所述第一光罩(50)对所述平坦层(20)进行曝光、显影，通过第一光罩(50)上的第一图案(51)实现全曝光从而在有效显示区(11)上方形成过孔；通过第一光罩(50)上的第二图案(52)实现全曝光从而在非扇出区的平坦层(20)上形成第一沟槽(21)；通过第一光罩(50)上的第三图案(53)实现半曝光从而在扇出区(121)的平坦层(20)上形成第二沟槽(22)；步骤3、在所述平坦层(20)上形成透明导电层；步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述第一沟槽(21)、第二沟槽(22)上的光阻；步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得到电极。