[发明专利]TFT基板结构的制作方法

说明书

本发明提供一种TFT基板结构的制作方法。本发明的TFT基板结构的制作方法，利用半色调光罩通过一次曝光在平坦层上形成过孔与沟槽，通过半色调光罩上的半透光性的图案实现半曝光，在扇出区的平坦层上形成深度较浅的沟槽，从而使得扇出区的平坦层上的沟槽的坡度变缓，避免了在进行光阻曝光显影时沟槽角落处的光阻曝光不彻底而导致透明导电层在沟槽角落处残留的现象，进而避免了扇出区的金属线路之间出现短路的现象，同时不影响有效显示区的开口率，大大提高了液晶显示面板的显示品质；并通过加宽扇出区的平坦层上的沟槽的宽度，避免了由于沟槽坡度变缓、深度减少而带来的封框胶粘附力变差的现象，进而保证了液晶显示面板内的封框胶的粘附性不受影响。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板结构的制作方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix/Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。

如图1所示，液晶显示面板可分成有效显示区(active area)110以及周边线路区(peripheral circuit area)120。有效显示区110内配置有多个像素以形成像素阵列(未标示)，每个像素均包括一薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的像素电极，且每个像素都被两条相邻的扫描线130以及两条相邻的数据线140包围，周边线路区120则设计有扇出(fanout)引线，扇出引线集中的区域即为扇出区120S。通常，扫描线130以及数据线140会由有效显示区110延伸至周边线路区120，并通过扇出引线与驱动芯片(driver IC)500即COF端电连接。

在液晶显示面板的制作过程中，如图2所示，已经形成薄膜晶体管的基板100上需要覆盖一层高介电常数的有机膜作为平坦层(planarization，PLN)200，以改变下层膜表面的平整性，防止有效显示区内电场互相干扰，减少电容耦合效应，提高穿透率；在有效显示区110外，平坦层200上的沟槽210能够增加框胶的粘附性、增加框胶的接触面积，避免出现液晶汽包(LC Bubble)、框胶穿刺等显示不良。

平坦层200通常为感旋光材料，如图3所示，利用光罩，通过曝光显影工艺可在平坦层200上形成沟槽210；之后，如图4所示，需要在平坦层200上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜300以用作于共通电极(COM)；由于共通电极与TFT电性绝缘，因此，如图5所示，需要通过在ITO薄膜300上涂覆光阻400(photo resist，PR)；之后，如图6所示，对光阻400曝光、显影，但是由于平坦层200厚度较大，一般约为2.5μm，平坦层200上的沟槽210的坡度(taper)较陡峭，在进行光阻涂覆时，光阻流动性大，taper角位置处光阻偏厚，会导致曝光不彻底，从而造成沟槽210内taper角位置处光阻残留；之后，如图7所示，将未被光阻400覆盖的平坦层沟槽210内的ITO刻蚀掉，但是，由于沟槽210内taper角位置处光阻残留从而造成ITO 300’残留。