[发明专利]TFT基板结构的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板结构的制作方法，包括：

步骤1、提供一基板(10)，所述基板(10)上设有薄膜晶体管；所述基板(10)包括有效显示区(11)和围绕所述有效显示区(11)的周边线路区(12)，所述周边线路区(12)包括扇出区(121)和非扇出区；在所述基板(10)上涂布形成平坦层(20)；

其特征在于，包括：

步骤2、提供第一光罩(50)，所述第一光罩(50)上具有对应于所述有效显示区(11)的第一图案(51)、对应于所述周边线路区(12)的非扇出区的第二图案(52)、及对应于所述扇出区(121)的第三图案(53)；所述第二图案(52)、第三图案(53)用于在所述周边线路区(12)的平坦层(20)上形成沟槽；所述第一光罩(50)为半色调光罩，所述第一图案(51)、第二图案(52)为全透光，所述第三图案(53)为半透光；

利用所述第一光罩(50)对所述平坦层(20)进行曝光、显影，通过第一光罩(50)上的第一图案(51)实现全曝光从而在有效显示区(11)上方形成过孔；通过第一光罩(50)上的第二图案(52)实现全曝光从而在非扇出区的平坦层(20)上形成第一沟槽(21)；通过第一光罩(50)上的第三图案(53)实现半曝光从而在扇出区(121)的平坦层(20)上形成第二沟槽(22)；

步骤3、在所述平坦层(20)上形成透明导电层；

步骤4、在所述透明导电层上涂覆光阻；提供第二光罩，利用第二光罩对所述光阻进行曝光、显影，去除位于所述第一沟槽(21)、第二沟槽(22)上的光阻；

步骤5、以剩余的光阻为遮挡，对所述透明导电层进行蚀刻，并剥离剩余的光阻，得到电极。

2.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述第二沟槽(22)的深度小于所述第一沟槽(21)的深度。

3.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

4.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成的平坦层(20)的材料为有机光阻。

5.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成的平坦层(20)的厚度为2.5μm。

6.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所制作的TFT基板用于形成液晶显示面板，所述液晶显示面板内的封框胶粘附于所述第一沟槽(21)、第二沟槽(22)内。

7.如权利要求6所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述第二沟槽(22)的宽度大于所述第一沟槽(21)的宽度。

8.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5中形成的电极为液晶显示面板的共通电极。

9.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤3中形成的透明导电层的材料为ITO，所述透明导电层通过物理气相沉积法形成。

10.如权利要求1所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用湿法蚀刻制程对所述透明导电层进行蚀刻。