[发明专利]一种利用聚焦离子束与MEMS工艺制备0.1THz的加脊喇叭天线方法

摘要

本发明公开了利用聚焦离子束与MEMS工艺制备0.1THz的加脊喇叭天线的方法，适用于太赫兹通信领域。本发明的结构设计优点如下：1)通过MEMS体硅工艺加工得到喇叭天线，具有微米级尺寸，突破了传统工艺极限；2)该工艺特点为并行加工，将大大降低加工成本；3)通过喷胶和光刻工艺，将正面无需电镀的区域保护住，有效避免了金属对天线性能的干扰；3)通过定位槽的设计，有利于后续测试接口的连接；4)通过聚焦离子束刻蚀在喇叭内壁制作各类加脊结构，可以有效地调整天线性能，扩展其适用性。

主权项

一种利用聚焦离子束与MEMS工艺制备0.1THz的加脊喇叭天线方法，包括如下步骤：1)利用氢氧化钾(KOH)各向异性腐蚀硅的特性，对硅衬底进行KOH穿通腐蚀，形成喇叭结构；2)同时，在喇叭口外一定位置，通过KOH腐蚀，在硅衬底上制作出定位槽；3)在硅衬底上下表面溅射钛/铜种子层；4)采用喷胶和光刻工艺，在具有喇叭状深槽结构的衬底上表面定义出电镀区域；5)采用电镀铜工艺在硅衬底两侧电镀铜，其中衬底上表面光刻胶覆盖区域被保护；6)通过金属腐蚀去掉上表面的种子层；7)通过聚焦离子束刻蚀技术，在制得的喇叭口内壁加工出各类加脊结构。