[发明专利]具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510571802.2 | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN105702714B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 吴泰京 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：本体，包括第一结区；柱体，设置在本体之上并且包括垂直沟道区和垂直沟道区之上的第二结区；栅极沟槽，暴露柱体的侧表面；栅极电介质层，覆盖栅极沟槽；以及栅电极，嵌入栅极沟槽中，其中栅极电介质层插入在栅电极与栅极沟槽之间。栅电极包括：第一功函数内衬，与垂直沟道区重叠并且包括含铝金属氮化物；第二功函数内衬，与第二结区重叠并且包括含硅非金属材料；以及空气间隙，设置在第二功函数内衬与第二结区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 函数 栅极 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：本体，包括第一结区；柱体，设置在本体之上并且包括垂直沟道区和垂直沟道区之上的第二结区；栅极沟槽，暴露柱体的侧表面；栅极电介质层，提供在栅极沟槽中和柱体的侧表面之上；以及栅电极，提供在栅极沟槽中，其中栅极电介质层插入在栅电极和栅极沟槽之间，其中栅电极包括：第一功函数内衬，位于垂直沟道区之上并且包括含铝金属氮化物；第二功函数内衬，位于第二结区之上并且包括含硅非金属材料；以及空气间隙，设置在第二功函数内衬与第二结区之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510571802.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种风电机组变桨系统超级电容的放电装置
- 下一篇：旋翼无人机充电桩
- 同类专利
- 专利分类
