[发明专利]具有垂直器件的双端口SRAM单元结构

摘要

本发明描述了一种双端口SRAM单元。在实施例中，单元包括第一和第二下拉晶体管、第一和第二上拉晶体管以及第一至第四传输门晶体管。每一个晶体管都包括：第一源极/漏极区域，位于有源区域中；沟道，延伸至有源区域之上；以及第二源极/漏极区域，位于沟道之上。通过第一有源区域电耦合下拉晶体管的第一源极/漏极区域。通过第二有源区域电耦合上拉晶体管的第一源极/漏极区域。第一和第二栅电极分别围绕第一和第二下拉和上拉晶体管的沟道。第一下拉、第一上拉以及第一和第三传输门晶体管的第二源极/漏极区域电耦合至第二栅电极。第二下拉、第二上拉以及第二和第四传输门晶体管的第二源极/漏极区域电耦合至第一栅电极。本发明还提供了具有垂直器件的双端口SRAM单元结构。

主权项

1.一种存储器单元结构，包括：双端口静态随机存取存储器单元，包括：第一下拉晶体管，包括：第一源极/漏极区域，位于衬底的第一有源区域中；第一垂直沟道，延伸至所述第一有源区域之上；以及第二源极/漏极区域，位于所述第一垂直沟道之上；第二下拉晶体管，包括：第三源极/漏极区域，位于所述第一有源区域中；第二垂直沟道，延伸至所述第一有源区域之上；以及第四源极/漏极区域，位于所述第二垂直沟道之上；通过所述第一有源区域将所述第一源极/漏极区域电耦合至所述第三源极/漏极区域；第一上拉晶体管，包括：第五源极/漏极区域，位于所述衬底的第二有源区域中；第三垂直沟道，延伸至所述第二有源区域之上；以及第六源极/漏极区域，位于所述第三垂直沟道之上；第二上拉晶体管，包括：第七源极/漏极区域，位于所述第二有源区域中；第四垂直沟道，延伸至所述第二有源区域之上；以及第八源极/漏极区域，位于所述第四垂直沟道之上；通过所述第二有源区域将所述第五源极/漏极区域电耦合至所述第七源极/漏极区域；第一传输门晶体管，包括：第九源极/漏极区域，位于所述衬底的第三有源区域中；第五垂直沟道，延伸至所述第三有源区域之上；以及第十源极/漏极区域，位于所述第五垂直沟道之上；第二传输门晶体管，包括：第十一源极/漏极区域，位于所述衬底的第四有源区域中；第六垂直沟道，延伸至所述第四有源区域之上；以及第十二源极/漏极区域，位于所述第六垂直沟道之上；第三传输门晶体管，包括：第十三源极/漏极区域，位于所述衬底的第五有源区域中；第七垂直沟道，延伸至所述第五有源区域之上；以及第十四源极/漏极区域，位于所述第七垂直沟道之上；第四传输门晶体管，包括：第十五源极/漏极区域，位于所述衬底的第六有源区域中；第八垂直沟道，延伸至所述第六有源区域之上；以及第十六源极/漏极区域，位于所述第八垂直沟道之上；第一栅电极，围绕所述第一垂直沟道和所述第三垂直沟道中的每一个；第二栅电极，围绕所述第二垂直沟道和所述第四垂直沟道中的每一个；第三栅电极，围绕所述第五垂直沟道；第四栅电极，围绕所述第六垂直沟道；第五栅电极，围绕所述第七垂直沟道；第六栅电极，围绕所述第八垂直沟道；第一导电部件，位于所述第二源极/漏极区域和所述第六源极/漏极区域上并且物理耦合至所述第二源极/漏极区域和所述第六源极/漏极区域，所述第一导电部件还电耦合至所述第二栅电极、所述第十源极/漏极区域和所述第十四源极/漏极区域；以及第二导电部件，位于所述第四源极/漏极区域和所述第八源极/漏极区域上并且物理耦合至所述第四源极/漏极区域和所述第八源极/漏极区域，所述第二导电部件还电耦合至所述第一栅电极、所述第十二源极/漏极区域和所述第十六源极/漏极区域。