[发明专利]用于具有不同图案密度的半导体器件的等栅极高度控制方法

摘要

一种形成半导体集成电路(IC)的方法，该半导体IC在不考虑在IC的不同区中具有不同图案密度的情况下具有基本相等的栅极高度，该方法包括：提供在IC的第一区中具有第一图案密度和在IC的第二区中具有第二图案密度的衬底；在衬底之上形成第一多晶硅层，该第一多晶硅层具有不均匀的上表面；在第一多晶硅层之上形成停止层，处理停止层以改变其相对于第一多晶硅层的蚀刻选择性；在停止层之上形成第二多晶硅层；去除第二多晶硅层、停止层和第一多晶硅层的顶部，第一多晶硅层的剩余部分具有平坦的上表面。本发明涉及用于具有不同图案密度的半导体器件的等栅极高度控制方法。

主权项

1.一种形成半导体集成电路的方法，包括：提供在所述集成电路的第一区中具有第一图案密度并且在所述集成电路的第二区中具有第二图案密度的衬底；在所述衬底之上形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层具有不均匀的上表面；在所述第一多晶硅层之上形成停止层，处理所述停止层以改变所述停止层相对于所述第一多晶硅层的蚀刻选择性；在所述停止层之上形成第二多晶硅层；和去除所述第二多晶硅层、所述停止层和所述第一多晶硅层的顶部，所述第一多晶硅层的剩余部分具有平坦的上表面。