[发明专利]一种MoS2/C超晶格异质结纳米片自组装纳米管及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种MoS2/C超晶格异质结纳米片自组装纳米管及其制备方法和应用，其特征在于纳米管是由纳米片自组装构成，纳米片是由二维MoS2分子层叠加构成，相邻MoS2分子层之间嵌有C原子层，形成MoS2/C超晶格异质结。本发明的MoS2/C超晶格异质结可作为高循环稳定性和倍率性能的钠离子电池的负极材料。本发明通过溶剂热反应使辛胺分子嵌入在MoS2层间，并使其层间距变宽，随后辛胺分子在MoS2层间碳化转变成C，形成MoS2/C超晶格结构。与普通MoS2材料相比较，本发明的MoS2/C超晶格异质结纳米管具有导电性好、纳米管结构稳定且不易聚集等优点。

主权项

一种MoS2/C超晶格异质结纳米片自组装纳米管的制备方法，其特征在于：所述纳米管是由纳米片自组装构成，所述纳米片是由几层MoS2分子层叠加构成，相邻MoS2分子层之间嵌插有单层碳原子层，形成MoS2/C超晶格异质结；构成MoS2纳米片的相邻MoS2分子层之间的间距为0.98nm；所述超晶格异质结中相邻MoS2分子层与碳原子层的层间距为0.49nm；所述制备方法是按如下步骤进行：a、称取S粉1‑2 mmol，并加入到10‑15 mL辛胺溶液中，继续加入0.4‑0.6mmol钼源，常温下搅拌0‑10分钟，再加入10‑20mL无水乙醇溶剂，获得混合溶液；将所述混合溶液转移到反应釜中170‑200℃下反应3‑8小时，得初始产物；所述钼源为钼酸铵或三氧化钼；b、将所述初始产物在氩氢气体保护下，300‑700℃退火处理1小时，即得目标产物。