[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，与PMOS对应的半导体衬底表面上形成有第一鳍片，与NMOS区对应的半导体衬底表面上形成有第二鳍片；在半导体衬底的表面上形成栅极结构；依次在半导体衬底、第一鳍片和第二鳍片暴露的表面上形成P型杂质掺杂的第一介电层和第一刻蚀停止层；去除对应NMOS区的第一介电层和第一刻蚀停止层；依次形成覆盖半导体衬底、第一鳍片和第二鳍片的N型杂质掺杂的第二介电层和第二刻蚀停止层；进行退火步骤。本发明的方法，避免了离子注入工艺对鳍片的损伤以及应力外延层的脱落问题的出现，提高了器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：/n步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区，与所述PMOS对应的所述半导体衬底表面上形成有第一鳍片，与所述NMOS区对应的所述半导体衬底表面上形成有第二鳍片，在所述半导体衬底中还形成有隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述第一鳍片和所述第二鳍片的顶面；/n步骤S2：在所述半导体衬底的表面上形成部分覆盖所述第一鳍片和所述第二鳍片的栅极结构；/n步骤S3：依次在所述半导体衬底、所述第一鳍片和所述第二鳍片暴露的表面上形成P型杂质掺杂的第一介电层和第一刻蚀停止层；/n步骤S4：去除对应所述NMOS区的位于所述半导体衬底和所述第二鳍片表面上的所述第一介电层和第一刻蚀停止层；/n步骤S5：依次形成覆盖所述半导体衬底、所述第一鳍片和所述第二鳍片的N型杂质掺杂的第二介电层和第二刻蚀停止层；/n步骤S6：进行退火步骤，以使所述P型杂质扩散进所述第一鳍片内、所述N型杂质扩散进所述第二鳍片内；/n其中，所述P型杂质为硼，在所述步骤S2和所述步骤S3之间还包括以下步骤：在所述第一鳍片和所述第二鳍片暴露的表面形成氧化层。/n