[发明专利]一种半导体封装体激光去溢料的新工艺在审
| 申请号： | 201510557624.8 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105269730A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 黄永忠;何刘 | 申请（专利权）人： | 成都莱普科技有限公司 |
| 主分类号： | B29C37/02 | 分类号： | B29C37/02 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 杨春 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装体激光去溢料的新工艺，本工艺包括近红外脉冲激光聚焦汽化、激光光束整形、多模板图形填充、振镜扫描整个溢料区域。当半导体IC条带正面的溢料通过第一路双光束激光汽化去除后，再将IC条带自动翻转后通过第二路双光束激光进行反面溢料的去除。从而提供了一种经济环保，又高效可靠的溢料去除技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 激光 去溢料 新工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体IC条带封装体激光去溢料的新工艺，其特征是：本工艺包括近红外脉冲激光聚焦汽化、激光光束整形、多模板图形填充、振镜扫描振镜扫描整个溢料区域；当半导体IC条带正面的溢料通过第一路双光束激光汽化去除后，再将IC条带自动翻转后通过第二路双光束激光进行反面溢料的去除。
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