[发明专利]自对准分离栅闪存的形成方法

摘要

一种自对准分离栅闪存的形成方法，包括：在衬底表面依次形成热氧化层、浮栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出热氧化层的开口；在硬掩膜层表面和开口内形成ONO层；在所述ONO层表面形成复合层；采用刻蚀工艺对复合层和ONO层进行刻蚀，直至暴露出所述硬掩膜层表面和浮栅层表面，形成位于所述第一开口的两侧的侧墙且所述侧墙位于第一开口底部的ONO层表面；以所述侧墙为掩膜刻蚀浮栅层和热氧化层；形成位于侧墙顶部表面的第一侧墙和位于所述侧墙、浮栅层和热氧化层侧面的第二侧墙；对第一开口填充多晶硅层，并对所述多晶硅层平坦化，直至暴露出所述硬掩膜层表面，形成控制栅与源线一体的结构。本发明的实施例无需额外增加端口。