[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域及栅极电极。第1半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域在与第1方向正交的第2方向设置有多个。第1半导体区域与第2半导体区域在第2方向交替地设置。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。第3半导体区域的第2导电型的杂质浓度高于第2半导体区域的第2导电型的杂质浓度。栅极电极沿与包含第1方向及第2方向的面平行且与第1方向交叉的第3方向延伸。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：第1导电型的多个第1半导体区域，各个所述第1半导体区域沿第1方向延伸，且所述多个第1半导体区域沿与所述第1方向正交的第2方向排列；第2导电型的多个第2半导体区域，各个所述第2半导体区域沿第1方向延伸，且所述多个第1半导体区域与所述多个第2半导体区域在所述第2方向交替地设置；第2导电型的第3半导体区域，设置于所述第2半导体区域上，且所述第3半导体区域的第2导电型的杂质浓度高于所述第2半导体区域的第2导电型的杂质浓度；第2导电型的第4半导体区域，设置于所述第1半导体区域上；第1导电型的第5半导体区域，选择性地设置于所述第4半导体区域上；及栅极电极，隔着栅极绝缘层而设于所述第4半导体区域上，且所述栅极电极沿第3方向延伸，所述第3方向与包含所述第1方向及所述第2方向的面平行且与所述第1方向交叉。