[发明专利]磁传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201510549777.8 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105098062A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋乐跃;沈佳;顾文彬 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。所述制造方法包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；在所述磁阻层上沉积导电材料形成所述导电层；光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形。这样，可以解决磁阻层的表层氧化问题，同时可以解决导电条和磁阻条的重叠偏差问题。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁传感器的制造方法，其特征在于，其包括：提供一个基底；在施加外部磁场的情况下，在所述基底上沉积磁阻材料形成磁阻层；在所述磁阻层上沉积导电材料形成所述导电层；光刻所述导电层和所述磁阻层使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层使得所述导电层形成第二预定义图形。
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