[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510533043.0 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105957891A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 新井雅俊;鉾本吉孝;西胁达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐冰冰;刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，包括第一电极以及连接至第一电极的第一导电型的第一半导体层。半导体装置还包括：设置于第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层；设置于第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层；以及设置于第三半导体层上的第二电极。半导体装置还包括设置于第一电极与第二电极之间的第三电极。半导体装置还包括具有连接至第二电极的上端部的第四电极，其中，第四电极具有比第二电极高的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一电极；与所述第一电极电连接的第一导电型的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层；位于所述第二半导体层上的所述第一导电型的第三半导体层；位于所述第三半导体层上并与所述第三半导体层电连接的第二电极；在第一方向上与所述第二半导体层相邻并在第二方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极，所述第二方向与所述第一方向交叉；以及具有第一端部的第四电极，所述第一端部与所述第二电极连接，所述第四电极通过绝缘膜与所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层以及所述第三电极分隔开，所述第四电极的电阻率高于所述第二电极的电阻率。
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