[发明专利]子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201510524992.2 申请日: 2015-08-25
公开(公告)号: CN105097884B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 辛龙宝 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G09G3/3225
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置,该子像素结构包括第一子像素区域和第二子像素区域,以及连接区域;所述子像素中用于实现显示控制的电极,在所述连接区域,通过过孔,与所述TFT的源漏电极连接,以便在像素修补时,通过切割过孔内的电极材料,以使所述电极与源漏电极处于断路。上述优化设计的子像素结构,可有利用提高显示面板修补成功率,提高显示面板的良品率。
搜索关键词: 像素 结构 及其 修补 方法 显示 面板 显示装置
【主权项】:
1.一种像素修补方法,其特征在于,所述方法应用于子像素结构中,所述子像素结构包括:至少一个TFT、第一子像素区域、第二子像素区域、连接区域;用于界定第一子像素区域和第二子像素区域的像素界定层,所述像素界定层设置于第一子像素区域和第二子像素区域之间;形成于源漏电极层之上的保护层,所述保护层包括:形成于源漏电极层之上的钝化层;形成于钝化层之上的树脂层;所述子像素中用于实现显示控制的电极,在所述连接区域,通过过孔,与所述TFT的源漏电极连接;所述方法包括:基于子像素结构的图层结构,采用对应波长的激光,切割形成于过孔内的电极材料,以使子像素结构包括的子像素中用于实现显示控制的电极与子像素结构内TFT的源漏电极处于断路。
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