[发明专利]子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201510524992.2 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN105097884B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 辛龙宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置,该子像素结构包括第一子像素区域和第二子像素区域,以及连接区域;所述子像素中用于实现显示控制的电极,在所述连接区域,通过过孔,与所述TFT的源漏电极连接,以便在像素修补时,通过切割过孔内的电极材料,以使所述电极与源漏电极处于断路。上述优化设计的子像素结构,可有利用提高显示面板修补成功率,提高显示面板的良品率。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 修补 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种像素修补方法,其特征在于,所述方法应用于子像素结构中,所述子像素结构包括:至少一个TFT、第一子像素区域、第二子像素区域、连接区域;用于界定第一子像素区域和第二子像素区域的像素界定层,所述像素界定层设置于第一子像素区域和第二子像素区域之间;形成于源漏电极层之上的保护层,所述保护层包括:形成于源漏电极层之上的钝化层;形成于钝化层之上的树脂层;所述子像素中用于实现显示控制的电极,在所述连接区域,通过过孔,与所述TFT的源漏电极连接;所述方法包括:基于子像素结构的图层结构,采用对应波长的激光,切割形成于过孔内的电极材料,以使子像素结构包括的子像素中用于实现显示控制的电极与子像素结构内TFT的源漏电极处于断路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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