[发明专利]重布线层制造方法及MEMS器件制造方法

摘要

本发明提供一种重布线层制造方法以及MEMS器件制造方法，先对光刻胶未覆盖的Al等导电金属层进行干法刻蚀，使之降低一定厚度，然后在制程设定的Q‑Time时间内，转为湿法刻蚀，将光刻胶未覆盖的导电金属层的剩余厚度去除，刻蚀能够很好地停止在刻蚀阻挡层表面，该湿法刻蚀过程消除了干法刻蚀后的重布线层侧壁的栅栏缺陷，不会造成顶层互连结构的过刻蚀消耗，同时由于湿法刻蚀的厚度较薄，所以能够使得湿法刻蚀后的重布线层的关键尺寸完全达到要求，并避免了大量刻蚀残留物的累积，保证了重布线层的质量，最终提高了器件性能。

主权项

一种重布线层制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、导电金属层以及图案化的光刻胶层，所述光刻胶层的图案定义了所述导电金属层形成重布线层的位置；以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺部分刻蚀所述导电金属层，以降低所述光刻胶层未覆盖的导电金属层的厚度，并使剩余的导电金属层仍能全面覆盖所述刻蚀阻挡层；在设定的重布线层刻蚀制程排队等待时间Q‑time内，继续以所述光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺完全去除所述光刻胶层未覆盖的导电金属层的剩余厚度，刻蚀停止在所述刻蚀阻挡层表面，形成重布线层。