[发明专利]重布线层制造方法及MEMS器件制造方法

权利要求书

1.一种重布线层制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、导电金属层以及图案化的光刻胶层，所述光刻胶层的图案定义了所述导电金属层形成重布线层的位置；

以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺部分刻蚀所述导电金属层，以降低所述光刻胶层未覆盖的导电金属层的厚度，并使剩余的导电金属层仍能全面覆盖所述刻蚀阻挡层；

在设定的重布线层刻蚀制程排队等待时间Q-time内，继续以所述光刻胶层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺完全去除所述光刻胶层未覆盖的导电金属层的剩余厚度，刻蚀停止在所述刻蚀阻挡层表面，形成重布线层。

2.如权利要求1所述的重布线层制造方法，其特征在于，所述半导体衬底中形成有MEMS器件电路以及电气连接点，所述重布线层与所述MEMS器件电路通过电气连接点电连接；或者，所述半导体衬底中形成有MEMS器件电路以及MEMS器件电路上方的金属互连结构，所述MEMS器件电路通过金属互连结构与所述重布线层电气连接。

3.如权利要求1所述的重布线层制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氮化钛或者氮化钽。

4.如权利要求1所述的重布线层制造方法，其特征在于，所述导电金属层为铝、铝合金、铜或铜合金。

5.如权利要求1所述的重布线层制造方法，其特征在于，在半导体衬底上形成的导电金属层厚度为1μm～2μm，所述干法刻蚀后导电金属层的剩余厚度为0.15μm～1.25μm。

6.如权利要求1所述的重布线层制造方法，其特征在于，所述排队等待时间Q-time小于12小时，所述湿法刻蚀工艺的时间占所述排队等待时间Q-time的30％～70％。

7.如权利要求1所述的重布线层制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀的工艺参数包括：工艺气体包括Cl₂、BCl₃和N₂，源射频功率为500W～1500W，偏置射频功率为100W～200W，工艺时间为40s～80s；所述湿法刻蚀的工艺参数包括：硝酸1％～2％体积比，磷酸75％～85％体积比，醋酸5％～10％体积比,水10％～20％体积比，工艺温度25℃～50℃，导电金属层刻蚀速率为

8.一种MEMS器件制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有MEMS器件电路的MEMS衬底，所述MEMS衬底表面上形成有电气连接点或者金属互连结构；

按照权利要求1至7中任一项所述的重布线制造方法，在所述MEMS衬底表面上形成重布线层，所述重布线层与所述电气连接点或金属互连结构电气连接。

9.如权利要求8所述的MEMS器件制造方法，其特征在于，采用电镀回流或者激光植球工艺在所述重布线层表面形成导电凸点。

10.如权利要求8所述的MEMS器件制造方法，其特征在于，在所述重布线层表面形成导电凸点的步骤包括：

在所述重布线层表面上形成层间介质层；

光刻并刻蚀所述层间介质层，形成导电沟槽；

采用BGA工艺填充所述导电沟槽，形成球状导电凸点。