[发明专利]一种闪存器件的制造方法

摘要

本发明提供一种闪存器件的制造方法，先通过采用字线多晶硅层与字线保护层的刻蚀比大于6的破层刻蚀工艺刻蚀所述字线保护层，形成尖角结构并暴露出字线多晶硅层的刻蚀表面，在字线多晶硅层刻蚀形成字线雏形之后，采用偏置射频功率为0的各向同性刻蚀工艺对尖角结构进行修整，去除字线上方多余的尖角结构，保证最终形成的字线最外端尖角的强度，从而保证了字线的高度。进一步的，尖角结构修整完成后，对字线多晶硅层进行过刻蚀，以完全去除源线上方等处残留的多余字线多晶硅层并调整字线的宽度，从而保证字线提高了器件性能。

主权项

一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面上形成有位于半导体衬底共源区上的源线以及位于所述源线两侧的浮栅组，所述浮栅组包括浮栅、隔离浮栅与半导体衬底的栅氧化层、隔离浮栅与源线的浮栅侧墙；在所述半导体衬底、源线和浮栅组表面上依次形成字线多晶硅层以及字线保护层；采用字线多晶硅层与字线保护层的刻蚀比大于6的破层刻蚀工艺来部分刻蚀所述字线保护层，以暴露出源线上方和浮栅组外侧的半导体衬底上方的字线多晶硅层，并在字线多晶硅层侧面形成尖角结构；采用多晶硅刻蚀工艺刻蚀暴露出来的字线多晶硅层和剩余的字线保护层，以形成字线；采用偏置射频功率为0的各向同性刻蚀工艺对所述尖角结构进行修整，以移除尖角结构高出字线多晶硅层上表面的部分。