[发明专利]化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置有效
申请号: | 201510488320.0 | 申请日: | 2011-11-23 |
公开(公告)号: | CN105088187B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 尹志尧;姜勇 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器,包括一反应腔,所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置,所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面,所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部;所述支撑装置包括:主轴部;与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部,所述支撑部包括一支撑面;以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部;所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内,从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 反应器 外延 生长 及其 支撑 装置 | ||
【主权项】:
1.一种应用于化学气相沉积反应器或外延层生长反应器内用于支撑基片承载架的支撑装置,所述基片承载架包括第一表面和第二表面,所述第一表面用于放置若干待处理的基片,所述第二表面用于接收来自下方加热装置的热辐射并设置有至少一个向内凹陷的凹进部,所述支撑装置包括:可旋转的主轴部;与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部,所述支撑部包括一支撑面;以及与所述主轴部相连接、并自所述支撑面向上延伸一高度的插接部,所述插接部可分离地插接于所述基片承载架的凹进部内;其中,当所述插接部可分离地插接于所述凹进部内时,在此位置下,所述支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面相接触,并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架;所述插接部的外周围与所述凹进部的内周壁有间隙,所述插接部至少部分地与所述凹进部的至少部分相互接触或相互卡合或相互抵靠,在所述主轴部旋转时,藉由所述插接部推动所述基片承载架一起同步旋转,每次移出基片时,所述基片承载架实现与所述支撑装置的分离。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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