[发明专利]金微纳结构阵列及其制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 201510477676.4 申请日: 2015-08-06
公开(公告)号: CN105174194A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 朱储红;孟国文;王秀娟 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81C1/00;B82Y40/00;B82Y30/00;G01N21/65
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 任岗生
地址: 230031 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种金微纳结构阵列及其制备方法和用途。阵列为衬底上覆有金膜,金膜上置有金微米柱阵列,组成金微米柱阵列的金微米柱的顶端为半球状,半球状顶端的金微米柱的柱直径为200nm~3μm、柱高为300nm~6μm,其由金纳米颗粒组成,金纳米颗粒的粒径为3~30nm;方法为先于衬底上溅射金膜,再将其上覆有金膜的衬底作为阴极置于金电解液中,于30~500μA/cm2的直流电流下电沉积8~20h,其中,金电解液为0.2~5g/L的氯金酸溶液和2~50g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液,制得目的产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底,使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明或甲基对硫磷的含量。
搜索关键词: 金微纳 结构 阵列 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种金微纳结构阵列,包括衬底,其特征在于:所述衬底上覆有金膜,所述金膜上置有金微米柱阵列,所述组成金微米柱阵列的金微米柱的顶端为半球状;所述半球状顶端的金微米柱的柱直径为200nm~3μm、柱高为300nm~6μm,其由金纳米颗粒组成;所述金纳米颗粒的粒径为3~30nm。
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