[发明专利]金微纳结构阵列及其制备方法和用途在审
申请号: | 201510477676.4 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN105174194A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 朱储红;孟国文;王秀娟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | B81B1/00 | 分类号: | B81B1/00;B81C1/00;B82Y40/00;B82Y30/00;G01N21/65 |
代理公司: | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 任岗生 |
地址: | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金微纳 结构 阵列 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种金微纳结构阵列,包括衬底,其特征在于:
所述衬底上覆有金膜,所述金膜上置有金微米柱阵列,所述组成金微米柱阵列的金微米柱的顶端为半球状;
所述半球状顶端的金微米柱的柱直径为200nm~3μm、柱高为300nm~6μm,其由金纳米颗粒组成;
所述金纳米颗粒的粒径为3~30nm。
2.根据权利要求1所述的金微纳结构阵列,其特征是金膜的厚度为10~50nm。
3.根据权利要求1所述的金微纳结构阵列,其特征是衬底为导体,或半导体,或绝缘体。
4.一种权利要求1所述金微纳结构阵列的制备方法,包括电化学沉积法,其特征在于主要步骤如下:
先于衬底上溅射金膜,再将其上覆有金膜的衬底作为阴极置于金电解液中,于30~500μA/cm2的直流电流下电沉积8~20h,其中,金电解液为0.2~5g/L的氯金酸溶液和2~50g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液,制得金微纳结构阵列。
5.根据权利要求4所述的金微纳结构阵列的制备方法,其特征是衬底为导体,或半导体,或绝缘体。
6.根据权利要求4所述的金微纳结构阵列的制备方法,其特征是金膜的厚度为10~50nm。
7.根据权利要求4所述的金微纳结构阵列的制备方法,其特征是电沉积时的阳极为石墨。
8.根据权利要求4所述的金微纳结构阵列的制备方法,其特征是使用去离子水清洗金微纳结构阵列1~3次。
9.一种权利要求1所述金微纳结构阵列的用途,其特征在于:
将金微纳结构阵列作为表面增强拉曼散射的活性基底,使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明或甲基对硫磷的含量。
10.根据权利要求9所述的金微纳结构阵列的用途,其特征是激光拉曼光谱仪的激发波长为532nm、输出功率为0.03~1mW、积分时间为1~30s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510477676.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种采用真空式膜蒸馏系统浓缩稀盐酸的系统
- 下一篇:一种液态化工原料检测槽