[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510465603.3 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN106653602B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干第一凹槽；在所述半导体衬底上形成硅锗层，所述硅锗层填充满第一凹槽；刻蚀去除部分厚度的硅锗层，在所述硅锗层中形成若干第二凹槽；对所述第二凹槽侧壁和底部的硅锗层进行平坦化处理；进行平坦化处理后，在所述第二凹槽中形成填充满第二凹槽的磷化铟层；回刻蚀去除磷化铟层之间的硅锗层，暴露出磷化铟层的侧壁表面；在所述磷化铟层的顶部和侧壁表面上形成铟镓砷层；在所述铟镓砷层表面上形成高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅电极。本发明方法形成的鳍式场效应晶体管载流子迁移率提升。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干第一凹槽；在所述半导体衬底上形成硅锗层，所述硅锗层填充满第一凹槽；刻蚀去除部分厚度的硅锗层，在所述硅锗层中形成若干第二凹槽；对所述第二凹槽侧壁和底部的硅锗层进行平坦化处理；进行平坦化处理后，在所述第二凹槽中形成填充满第二凹槽的磷化铟层；回刻蚀去除磷化铟层之间的硅锗层，暴露出磷化铟层的侧壁表面；在所述磷化铟层的顶部和侧壁表面上形成铟镓砷层；在所述铟镓砷层表面上形成高K介质层；形成覆盖所述高K介质层的金属栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
