[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：第一和第二FinFET晶体管以及由绝缘材料制成并且设置在第一和第二FinFET晶体管之间的分离插塞。第一FinFET晶体管包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、形成在第一鳍结构上方的第一栅极电介质和形成在第一栅极电介质上方并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第一栅电极。第二FinFET晶体管包括第二鳍结构、形成在第二鳍结构上方的第二栅极电介质和形成在第二栅极电介质上方并且在第二方向上延伸的第二栅电极。在沿着第二方向并且横穿第一栅电极、第二栅电极和分离插塞的截面中，分离插塞具有顶部尺寸小于底部尺寸的锥形形状。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一FinFET晶体管，包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、形成在所述第一鳍结构上方的第一栅极电介质和形成在所述第一栅极电介质上方并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第一栅电极；第二FinFET晶体管，包括第二鳍结构、形成在所述第二鳍结构上方的第二栅极电介质和形成在所述第二栅极电介质上方并且在所述第二方向上延伸的第二栅电极；以及分离插塞，由绝缘材料制成并且设置在所述第一FinFET晶体管和所述第二FinFET晶体管之间，其中，在沿着所述第二方向并且横穿所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述分离插塞的截面中，所述分离插塞的最大宽度位于高度Hb处，所述高度Hb小于所述分离插塞的高度Ha的3/4。