[发明专利]一种硅基OLED显示像素的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510464114.6 申请日: 2015-07-31
公开(公告)号: CN105161636B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 李海萍 申请(专利权)人: 深圳市万中和科技有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 广东卓建律师事务所44305 代理人: 叶新建
地址: 518131 广东省深圳市龙华新*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种硅基OLED显示像素的制备方法,包括像素背板工艺和有机发光层工艺,其中所述像素背板工艺包括(1)对基片进行金属电极层镀膜;(2)涂光刻胶;(3)曝光;(4)显影;(5)刻蚀;(6)清洗;(7)真空退火;所述有机发光层工艺包括(8)有机遮罩对位校准;(9)三次有机蒸镀;(10)ITO镀膜;(11)阻隔层镀膜。在每次蒸镀有机发光像素单元前均进行有机遮罩对位校准,避免了不同像素单元间镀膜窜扰,有机遮罩在z方向上与像素电极间留有空隙,防止了对像素电极或对已蒸镀的像素单元造成污染。同时由于制得的有机发光像素单元尺寸和定位精确,三种颜色的混色比优异,使得图像颜色正常、不失真。
搜索关键词: 一种 oled 显示 像素 制备 方法
【主权项】:
一种硅基OLED显示像素的制备方法,其特征在于,包括像素背板工艺和有机发光层工艺,其中所述像素背板工艺包括:步骤1对基片进行金属电极层镀膜,所述镀膜为在金属电极上依次制作Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极,得到金属电极层;步骤2涂光刻胶,在所述金属电极层上涂覆光刻胶;步骤3曝光,将步骤2中涂覆有光刻胶的基片在曝光机上曝光;步骤4显影,将步骤3中曝光后的基片低转速下旋转喷洒显影液,然后纯水冲洗,并在高转速下甩干;步骤5刻蚀,除去无光刻胶覆盖部分的金属电极层;步骤6清洗,首先将步骤5中经过刻蚀的半成品采用N‑甲基吡咯烷酮液体浸泡,然后用去离子水浸泡清洗,清洗后高速甩干,再烘干;步骤7真空退火,将步骤6中清洗烘干后的半成品在真空热板上放置,即得到具有精细像素电极的硅基背板半成品;所述有机发光层工艺包括:步骤8有机遮罩对位校准,在每次蒸镀有机发光像素单元前均进行有机遮罩对位校准,有机遮罩在xy方向上与像素背板工艺中制作的像素电极精确对准,将步骤7中得到的具有精细像素电极的硅基背板半成品在有机镀膜机台上在xy方向上与刻蚀图样进行CCD图像对位重合;步骤9三次有机蒸镀,分别在所述像素电极上蒸镀红、绿、蓝三色有机发光像素单元;步骤10 ITO镀膜,在步骤9得到的有机发光像素表面镀ITO膜;步骤11阻隔层镀膜,在步骤10中得到ITO膜的上表面制作厚度Al2O3阻隔层,即得到具有红、绿、蓝三基色有机发光像素单元的背板结构。
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