[发明专利]一种硅基OLED显示像素的制备方法有效
申请号: | 201510464114.6 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN105161636B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 李海萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市万中和科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 广东卓建律师事务所44305 | 代理人: | 叶新建 |
地址: | 518131 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅基OLED显示像素的制备方法,包括像素背板工艺和有机发光层工艺,其中所述像素背板工艺包括(1)对基片进行金属电极层镀膜;(2)涂光刻胶;(3)曝光;(4)显影;(5)刻蚀;(6)清洗;(7)真空退火;所述有机发光层工艺包括(8)有机遮罩对位校准;(9)三次有机蒸镀;(10)ITO镀膜;(11)阻隔层镀膜。在每次蒸镀有机发光像素单元前均进行有机遮罩对位校准,避免了不同像素单元间镀膜窜扰,有机遮罩在z方向上与像素电极间留有空隙,防止了对像素电极或对已蒸镀的像素单元造成污染。同时由于制得的有机发光像素单元尺寸和定位精确,三种颜色的混色比优异,使得图像颜色正常、不失真。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 像素 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基OLED显示像素的制备方法,其特征在于,包括像素背板工艺和有机发光层工艺,其中所述像素背板工艺包括:步骤1对基片进行金属电极层镀膜,所述镀膜为在金属电极上依次制作Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极,得到金属电极层;步骤2涂光刻胶,在所述金属电极层上涂覆光刻胶;步骤3曝光,将步骤2中涂覆有光刻胶的基片在曝光机上曝光;步骤4显影,将步骤3中曝光后的基片低转速下旋转喷洒显影液,然后纯水冲洗,并在高转速下甩干;步骤5刻蚀,除去无光刻胶覆盖部分的金属电极层;步骤6清洗,首先将步骤5中经过刻蚀的半成品采用N‑甲基吡咯烷酮液体浸泡,然后用去离子水浸泡清洗,清洗后高速甩干,再烘干;步骤7真空退火,将步骤6中清洗烘干后的半成品在真空热板上放置,即得到具有精细像素电极的硅基背板半成品;所述有机发光层工艺包括:步骤8有机遮罩对位校准,在每次蒸镀有机发光像素单元前均进行有机遮罩对位校准,有机遮罩在xy方向上与像素背板工艺中制作的像素电极精确对准,将步骤7中得到的具有精细像素电极的硅基背板半成品在有机镀膜机台上在xy方向上与刻蚀图样进行CCD图像对位重合;步骤9三次有机蒸镀,分别在所述像素电极上蒸镀红、绿、蓝三色有机发光像素单元;步骤10 ITO镀膜,在步骤9得到的有机发光像素表面镀ITO膜;步骤11阻隔层镀膜,在步骤10中得到ITO膜的上表面制作厚度Al2O3阻隔层,即得到具有红、绿、蓝三基色有机发光像素单元的背板结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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