[发明专利]一种硅基OLED显示像素的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于有机发光显示技术领域，具体地说涉及一种硅基OLED显示像素的制备方法。

背景技术

随着多媒体技术的发展对平板显示设备性能的要求越来越高，近年发展出以下三种主要显示技术：等离子显示器、场发射显示器和有机电致发光显示器。其中有机电致发光显示器是基于有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)制得的显示设备，其具有反应速度快、对比度高、视角广等特点。此外，OLED面板具有自发光的特点，不需要使用背光板，因此节约了背光模块的成本，并且比传统液晶面板做的更轻薄。

显示器全彩色技术是显示行业的核心技术，许多全彩色化技术也应用到了有机发光显示器上。通常有下面三种表现形式：RGB像素独立发光，光色转换(ColorConversion)和彩色滤光膜(ColorFilter)。RGB像素独立发光结构为三色像素直接发光结构，发光能量无过滤层损失，RGB三色有机发光材料有电流发光效率上的差异，通过不同面积比例的RGB像素搭配能够消除这种差异，减少显示图像色偏，同时可以扩大显示色域。

现有技术中RGB三种颜色像素区尺寸精度和定位精度难于精确控制，导致混色比不够合理，从而图像颜色产生偏差、失真。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于现有OLED显示装备中RGB像素区尺寸精度和定位精度不足，导致混色比不合理，显示器图像颜色失真，从而提出一种RGB像素区配比精度高、混色比合理的硅基OLED显示像素的制备方法。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种硅基OLED显示像素的制备方法，其包括像素背板工艺和有机发光层工艺，其中所述像素背板工艺包括：

(1)对基片进行金属电极层镀膜，所述镀膜为在金属电极上依次制作Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极，得到金属电极层；

(2)涂光刻胶，在所述金属电极层上涂覆光刻胶；

(3)曝光，将步骤(2)中涂覆有光刻胶的基片在曝光机上曝光；

(4)显影，将步骤(3)中曝光后的基片低转速下旋转喷洒显影液，然后纯水冲洗，并在高转速下甩干；

(5)刻蚀，除去无光刻胶覆盖部分的金属电极层；

(6)清洗，首先将步骤(5)中经过刻蚀的半成品采用N-甲基吡咯烷酮液体浸泡，然后用去离子水浸泡清洗，清洗后高速甩干，再烘干；

(7)真空退火，将步骤(6)中清洗烘干后的半成品在真空热板上放置，即得到具有精细像素电极的硅基背板半成品；

所述有机发光层工艺包括：

(8)有机遮罩对位校准，将步骤(7)中得到的具有精细像素电极的硅基背板半成品在有机镀膜机台上在xy方向上与刻蚀图样进行CCD图像对位重合；

(9)三次有机蒸镀，分别在所述像素电极上蒸镀红、绿、蓝三色有机发光像素单元；

(10)ITO镀膜，在步骤(9)得到的有机发光像素表面镀ITO膜；

(11)阻隔层镀膜，在步骤(10)中得到ITO膜的上表面制作厚度Al₂O₃阻隔层，即得到具有红、绿、蓝三基色有机发光像素单元的背板结构。

所述的硅基OLED显示像素的制备方法，所述步骤(2)中，所述有机遮罩的开口尺寸小于所述有机发光像素电极的尺寸，所述光刻胶厚度为

优选的，所述步骤(9)中，每次蒸镀前需要进行有机遮罩对位校准。

优选的，完成步骤(9)所述的蒸镀后，在所述有机发光像素单元表面蒸镀一层Mg/Ag膜，所述Mg/Ag膜厚度为Mg层和Ag层蒸镀速率比为10:0.5。

优选的，所述曝步骤(3)曝光前包括前烘烤的步骤，所述步骤(4)显影之后包括后烘烤的步骤。

优选的，所述有机发光像素单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层、主体发光层、电子传输层和电子注入层。

优选的，所述Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极中，Ti层、Al层和Pt层厚度分别为和三层金属的镀膜速率分别为Ti层Al层Pt层

优选的，所述像素电极单边尺寸小于1μm时，所述步骤(2)中所述光刻胶上下表面还要分别涂敷顶部抗反射膜和底部抗反射膜。

优选的，所述有机遮罩在z方向上与所述基片间留有0.7μm的空隙。

优选的，所述步骤(10)中ITO镀膜采用磁控溅射镀膜设备，靶材为掺杂10％In₂O₃的SnO2。