[发明专利]一种硅基OLED显示像素的制备方法

权利要求书

1.一种硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，包括像素背板工艺和有机发光层工艺，其中所述像素背板工艺包括：

(1)对基片进行金属电极层镀膜，所述镀膜为在金属电极上依次制作Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极，得到金属电极层；

(2)涂光刻胶，在所述金属电极层上涂覆光刻胶；

(3)曝光，将步骤(2)中涂覆有光刻胶的基片在曝光机上曝光；

(4)显影，将步骤(3)中曝光后的基片低转速下旋转喷洒显影液，然后纯水冲洗，并在高转速下甩干；

(5)刻蚀，除去无光刻胶覆盖部分的金属电极层；

(6)清洗，首先将步骤(5)中经过刻蚀的半成品采用N-甲基吡咯烷酮液体浸泡，然后用去离子水浸泡清洗，清洗后高速甩干，再烘干；

(7)真空退火，将步骤(6)中清洗烘干后的半成品在真空热板上放置，即得到具有精细像素电极的硅基背板半成品；

所述有机发光层工艺包括：

(8)有机遮罩对位校准，将步骤(7)中得到的具有精细像素电极的硅基背板半成品在有机镀膜机台上在xy方向上与刻蚀图样进行CCD图像对位重合；

(9)三次有机蒸镀，分别在所述像素电极上蒸镀红、绿、蓝三色有机发光像素单元；

(10)ITO镀膜，在步骤(9)得到的有机发光像素表面镀ITO膜；

(11)阻隔层镀膜，在步骤(10)中得到ITO膜的上表面制作厚度Al₂O₃阻隔层，即得到具有红、绿、蓝三基色有机发光像素单元的背板结构。

2.根据权利要求1所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述有机遮罩的开口尺寸小于所述有机发光像素电极的尺寸，所述光刻胶厚度为

3.根据权利要求2所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，完成步骤(9)所述的蒸镀后，在所述有机发光像素单元表面蒸镀一层Mg/Ag膜，所述Mg/Ag膜厚度为Mg层和Ag层蒸镀速率比为10:0.5。

4.根据权利要求3所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述曝步骤(3)曝光前包括前烘烤的步骤，所述步骤(4)显影之后包括后烘烤的步骤。

5.根据权利要求4所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述有机发光像素单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层、主体发光层、电子传输层和电子注入层。

6.根据权利要求5所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述Ti/Al/Pt三层金属堆叠电极中，Ti层、Al层和Pt层厚度分别为和三层金属的镀膜速率分别为Ti层Al层Pt层

7.根据权利要求6所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述像素电极单边尺寸小于1μm时，所述步骤(2)中所述光刻胶上下表面还要分别涂敷顶部抗反射膜和底部抗反射膜。

8.根据权利要求7所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述有机遮罩在z方向上与所述硅基背板间留有0.7μm的空隙。

9.根据权利要求8所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述步骤(10)中ITO镀膜采用磁控溅射镀膜设备，靶材为掺杂10％In₂O₃的SnO₂。

10.根据权利要求1-9所述的硅基OLED显示像素的制备方法，其特征在于，所述步骤(11)中，Al₂O₃阻隔层厚度为