[发明专利]一种深槽蚀刻方法

摘要

本申请公开了一种深槽蚀刻方法，用于蚀刻蓝宝石衬底上的外延层，包括步骤在外延层上覆盖氧化硅掩膜，氧化硅掩膜为设有间隙的两个对称的矩形掩膜；在氧化硅掩膜上覆盖正胶掩膜，正胶掩膜的位于氧化硅掩膜上方，为与氧化硅掩膜相配合的设有间隙的两个对称的正胶掩膜，正胶掩膜靠近所述间隙的一端为直角三角形；利用腐蚀液对氧化硅掩膜的间隙处进行蚀刻，蚀刻过程中正胶掩膜的直角三角形一端完全悬空后，掉落在氧化硅掩膜之间的间隙处；继续蚀刻并去掉剩余的正胶掩膜和氧化硅掩膜，形成上方倾斜下方陡直的漏斗形深槽。本发明的深槽刻蚀方法，既提高了深槽底部绝缘层和金属的厚度，又减少了发光区面积的损失，同时确保了高压芯片的可靠性和光效。

主权项

一种深槽蚀刻方法，用于蚀刻蓝宝石衬底上的外延层，其特征在于，包括步骤：在所述外延层上覆盖氧化硅掩膜，所述氧化硅掩膜为设有间隙的两个对称的矩形掩膜，所述间隙为8‑12微米；在所述氧化硅掩膜上覆盖正胶掩膜，所述正胶掩膜的位于所述氧化硅掩膜上方，为与所述氧化硅掩膜相配合的设有间隙的两个对称的正胶掩膜，所述正胶掩膜靠近所述间隙的一端为直角三角形，所述三角形中与所述氧化硅端部相配合的角度在30‑45度之间，所述正胶掩膜与所述氧化硅掩膜相接触的底部的边长与所述氧化硅掩膜的长度相等，所述正胶掩膜的顶部的边长小于底部的边上；利用腐蚀液对氧化硅掩膜的间隙处进行蚀刻，腐蚀时间在4‑8分钟，蚀刻过程中所述正胶掩膜的直角三角形一端完全悬空后，掉落在所述氧化硅掩膜之间的间隙处；继续蚀刻35‑50min并去掉剩余的正胶掩膜和氧化硅掩膜，形成上方倾斜下方陡直的漏斗形深槽，所述深槽深度为5‑7微米，所述深槽开口处的宽度为12‑15微米，所述深槽的底部宽度为8‑10微米。