[发明专利]一种深槽蚀刻方法

权利要求书

1.一种深槽蚀刻方法，用于蚀刻蓝宝石衬底上的外延层，其特征在于，包括步骤：

在所述外延层上覆盖氧化硅掩膜，所述氧化硅掩膜为设有间隙的两个对称的矩形掩膜，所述间隙为8-12微米；

在所述氧化硅掩膜上覆盖正胶掩膜，所述正胶掩膜的位于所述氧化硅掩膜上方，为与所述氧化硅掩膜相配合的设有间隙的两个对称的正胶掩膜，所述正胶掩膜靠近所述间隙的一端为直角三角形，所述三角形中与所述氧化硅端部相配合的角度在30-45度之间，所述正胶掩膜与所述氧化硅掩膜相接触的底部的边长与所述氧化硅掩膜的长度相等，所述正胶掩膜的顶部的边长小于底部的边上；

利用腐蚀液对氧化硅掩膜的间隙处进行蚀刻，腐蚀时间在4-8分钟，蚀刻过程中所述正胶掩膜的直角三角形一端完全悬空后，掉落在所述氧化硅掩膜之间的间隙处；

继续蚀刻35-50min并去掉剩余的正胶掩膜和氧化硅掩膜，形成上方倾斜下方陡直的漏斗形深槽，所述深槽深度为5-7微米，所述深槽开口处的宽度为12-15微米，所述深槽的底部宽度为8-10微米。

2.根据权利要求1所述的深槽蚀刻方法，其特征在于，所述腐蚀液，进一步为由NH₄与HF按体积比为7:1-11:1混合得到的腐蚀液。

3.根据权利要求1所述的深槽蚀刻方法，其特征在于，所述氧化硅掩膜的厚度为8000-12000埃。

4.根据权利要求1所述的深槽蚀刻方法，其特征在于，所述正胶掩膜的厚度为3-4微米。