[发明专利]外延片、外延片制备方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201510448219.2 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105070647B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 高璇 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延片，其特征在于，包括衬底和外延层；所述衬底和所述外延层的掺杂类型不同；所述衬底为P型掺杂，所述外延层为N型掺杂；或者，所述衬底为N型掺杂，所述外延层为P型掺杂。本发明的外延片，曲翘度满足后道器件的生产需求，有效避免集成电路厂商曝光加工散焦，提高了后道器件的良品率及产品品质。更好地满足行动通讯、信息家电等产品对于外延产品的苛刻要求。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种外延片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:A.提供一衬底；对衬底进行掺杂处理，使所述衬底形成P型掺杂或N型掺杂；B.在所述衬底上生长外延层；对所述外延层进行掺杂处理，使所述外延层形成P型掺杂或N型掺杂；C.掺杂完成后，对所述衬底和所述外延层进行高温烘烤，烘烤温度为1100～1120℃，烘烤时间为20～50s；所述步骤C中，高温烘烤的同时，通入流量为50‑150SLM的氢气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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