[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510446475.8 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990436B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 洪奇成;王喻生;陈科维;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底，第一和第二源极/漏极区和栅极堆叠件。第一和第二源极/漏极区设置在衬底上。栅极堆叠件设置在衬底上方以覆盖第一和第二S/D区之间的沟道区。栅极堆叠件包括：设置在衬底上方的栅极介电层；以及设置在栅极介电层上并且配置为作为栅极堆叠件中的填充层的金属合金；其中，金属合金具有对应于蚀刻剂的第一耐腐蚀性，蚀刻剂设计为用于去除含碳聚合物。本发明涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，位于所述衬底上；以及栅极堆叠件，设置在所述衬底上方以覆盖所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间的沟道区，所述栅极堆叠件包括：栅极介电层，设置在所述衬底上方；和金属合金，设置在所述栅极介电层上并且配置为作为所述栅极堆叠件中的填充层；其中，所述金属合金具有对应于蚀刻剂的第一耐腐蚀性，所述蚀刻剂设计为用于去除含碳聚合物，并且所述金属合金包括第一合金组分硅、第二合金组分铜和第三合金组分铝。
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