[发明专利]纳米T型栅的制作方法

摘要

本发明公开了一种纳米T型栅的制作方法，涉及半导体器件及集成电路制作工艺技术领域。包括如下步骤清洗基片并烘干，在基片上涂一次电子束光刻胶，烘干；涂二次电子束光刻胶，并进行电子束直写并显影，制作T型栅的上半部分；设置不同位置尺寸和剂量，对一次电子束光刻胶进行电子束直写；对一次电子束光刻胶进行显影，制作栅的下半部分；采用蒸发或溅射的方法沉积栅电极金属；剥离金属，去胶，完成T型栅制作。所述方法工艺简单，易行，提高了纳米T型栅的机械强度和器件成品率，降低了生产成本。

主权项

一种纳米T型栅的制作方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：1)在衬底(1)的上表面涂覆第一电子束光刻胶，然后烘干，形成第一电子束光刻胶层(2)；2)在第一电子束光刻胶层(2)的上表面涂覆第二电子束光刻胶，然后烘干，形成第二电子束光刻胶层(3)；3)在第二电子束光刻胶层(3)的上表面涂覆第三电子束光刻胶，然后烘干，形成第三电子束光刻胶层(4)；4)对第三电子束光刻胶层(4)和第二电子束光刻胶层(3)进行光刻处理，在第三电子束光刻胶层上形成T型栅(6)的栅帽图形；5)对第一电子束光刻胶层进行光刻处理，在第一电子束光刻胶层(2)上形成T型栅(6)的栅根图形；6)在步骤5)处理后的器件的上表面沉积栅电极金属(5)；7)剥离第一电子束光刻胶层(2)、第二电子束光刻胶层(3)、第三电子束光刻胶层(4)以及第三电子束光刻胶层(4)上表面沉积的栅电极金属(5)，在衬底(1)的上表形成T型栅(6)；所述第一电子束光刻胶层(2)的制作材料为PMMA，厚度为150nm‑200nm，热板烘干时间为2分钟‑4分钟；所述第二电子束光刻胶层(3)的制作材料为PMGI，厚度为500nm‑600nm，热板烘干时间为2分钟‑4分钟；所述第三电子束光刻胶层(4)的制作材料为PMMA，厚度为300nm‑350nm，热板烘干时间为2分钟‑4分钟。