[发明专利]一种真空锁系统及其对基片的处理方法有效
申请号: | 201510432860.7 | 申请日: | 2015-07-22 |
公开(公告)号: | CN106373907B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 雷仲礼 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张妍;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种真空锁系统及其对基片的处理方法,真空锁系统包含腔室主体、设置在腔室主体内的基片转移支撑组件和基片升降组件,腔室主体包含垂直堆叠设置的处理腔和基片转移腔,处理腔对基片进行等离子体处理,基片转移腔可选择性地连接至大气环境或真空处理环境,基片转移支撑组件包含基片支撑装置和基片旋转装置,基片支撑装置上的盘用于放置基片,基片旋转装置实现基片在相邻盘之间的转移,基片升降组件以可升降的方式设置在腔室主体中,带动基片在处理腔和基片转移腔之间移动。本发明可以快速有效地实现多个基片的同时搬送,减轻了机械手的搬送压力,提高了工作效率,增加了产量。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 系统 及其 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种真空锁系统,其特征在于,包含腔室主体、设置在腔室主体内的基片转移支撑组件和基片升降组件;所述的腔室主体包含处理腔(11)和基片转移腔(12);处理腔(11)垂直堆叠在基片转移腔(12)的上部,处理腔(11)的底部具有与基片转移腔(12)连通的开口,该处理腔(11)用于对置于其中的基片(4)进行等离子体处理;基片转移腔(12)可选择性地连接至大气环境或真空处理环境,用于实现大气环境与基片转移腔(12)之间,或者真空处理环境与基片转移腔(12)之间的基片交换转移;所述的基片转移支撑组件包含基片支撑装置(101)和基片旋转装置(102);所述的基片支撑装置(101)上包含一个位于处理腔(11)下方的可升降盘(105)、设置在可升降盘(105)一侧的至少一个大气侧固定盘(108)、以及设置在可升降盘(105)另一侧的至少一个真空侧固定盘(107),基片支撑装置(101)上的盘用于放置基片;所述的基片旋转装置(102)包含固定在基片支撑装置(101)上的旋转轴(1021)和连接旋转轴(1021)的若干旋转臂(1022),所述的旋转臂(1022)可沿旋转轴(1021)升降,还可绕旋转轴(1021)旋转,实现基片在相邻盘之间的转移;所述的基片升降组件以可升降的方式设置在腔室主体中,该基片升降组件包含设置在可升降盘(105)下方的隔离板(104)和固定在隔离板(104)的下方的顶升销(103);所述的隔离板(104)的尺寸大于可升降盘(105)的尺寸,在隔离板(104)与处理腔(11)的接触面上设置有密封圈(106);所述的顶升销(103)驱动隔离板(104)和可升降盘(105)在第一位置和第二位置之间移动;所述的第一位置是指可升降盘(105)位于处理腔(11)内,隔离板(104)将处理腔(11)的底部开口密封;所述的第二位置是指可升降盘(105)位于基片转移腔(12)内,。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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