[发明专利]一种芯片结构有效
| 申请号： | 201510432023.4 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106373958B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王小乐 | 申请（专利权）人： | 熠芯(珠海)微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/482 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭丽 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片结构，该芯片结构包括：位于同层至少一个矩形的模拟单元布局设计区域，和位于所述芯片结构中心的至少一个矩形的数字单元布局设计区域；每个模拟单元布局设计区域划分为第一子区域，第二子区域和第三子区域；所述第一子区域设置有数字电源管脚线，所述第二子区域设置有模拟电源管脚线，所述第三子区域设置有模拟单元；所述数字电源管脚线与所述数字单元通过连线连接；所述模拟电源管脚线与所述模拟单元通过连线连接。本发明实施例提供的芯片结构，数字电源管脚线与模拟单元设置在同一个矩形区域内，充分利用芯片空间，从而可以减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：/n至少一个矩形的模拟单元布局设计区域，和位于所述芯片结构中心的至少一个矩形的数字单元布局设计区域；所述模拟单元与所述数字单元位于同层；/n每个模拟单元布局设计区域划分为第一子区域，第二子区域和第三子区域；/n所述第一子区域设置有数字电源管脚线，所述第二子区域设置有模拟电源管脚线，所述第三子区域设置有模拟单元；在所述矩形的模拟单元布局设计区域中，所述模拟单元至少部分围绕所述数字电源管脚线和所述模拟电源管脚线；/n所述数字单元布局设计区域设置有数字单元；/n所述数字电源管脚线与所述数字单元通过连线连接；/n所述模拟电源管脚线与所述模拟单元通过连线连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于熠芯(珠海)微电子研究院有限公司，未经熠芯(珠海)微电子研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510432023.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
