[发明专利]用于蚀刻低介电常数材料的各向异性材料损坏制程在审
| 申请号： | 201510422683.4 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280490A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | E·T·瑞恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请关于用于蚀刻低介电常数材料的各向异性材料损坏制程。在一个例子中，本发明的方法包含形成掩膜于介电材料上方或之内。该介电材料曝露于包括碳吸附剂的环境大气中的光子辐射上，以产生该介电材料的损坏部分。该掩膜层阻挡该光子辐射。该介电材料的该损坏部分将移除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 介电常数 材料 各向异性 损坏 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成掩膜层于介电材料上方或之内；曝露该介电材料于包括碳吸附剂的环境大气中的光子辐射上，以产生该介电材料的损坏部分，其中，该掩膜层阻挡该光子辐射；移除该介电材料的该损坏部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
