[发明专利]发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件在审
| 申请号： | 201510422312.6 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105185886A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 罗玉云;吴志凌;黄逸儒;林子旸;李允立 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/12;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台南市台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，本发明提供一种发光二极管组件，发光二极管组件倒覆于一封装基板并与其电性连接，而形成覆晶式发光二极管封装组件。发光二极管组件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一奥姆接触层及一平坦缓冲层，奥姆接触层提升第二型掺杂层与反射层间的奥姆接触特性，而且不影响发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件的发光效率。平坦缓冲层设置于奥姆接触层与反射层之间，可平整奥姆接触层，使反射层可平整地附着于平坦缓冲层，可使反射层达到镜面反射的效果，并减少反射光源产生散射的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 组件 覆晶式 封装 | ||
【主权项】：
一种发光二极管组件，其特征在于，是包含：一第一型掺杂层；一第二型掺杂层；一发光层，配置于所述第一型掺杂层与所述第二型掺杂层之间；一奥姆接触层；一平坦缓冲层；一反射层，所述奥姆接触层、所述平坦缓冲层与所述反射层堆栈于所述第二型掺杂层上，其中所述奥姆接触层配置于所述第二型掺杂层上，而所述平坦缓冲层位于所述奥姆接触层与所述反射层之间，且所述平坦缓冲层与所述反射层相接的表面的均方根粗糙度小于所述奥姆接触层的表面的粗糙度；以及二电极，分别配置于所述反射层及所述第一型掺杂层上。
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