[发明专利]一种无磁锻炼效应交换偏置体系的制备方法有效
申请号: | 201510383052.6 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN104992716B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 莫康信;李立本;陈敏;陈弟虎 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39;H01F10/32;H01F41/18 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 罗民健 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种无磁锻炼效应交换偏置体系的制备方法,利用离子注入技术,将铁磁性的Fe纳米颗粒注入到反铁磁性的Cr母体中或将反铁磁性的Cr纳米颗粒注入到铁磁性的Fe母体中,形成核‑基底结构交换偏置体系;本发明工艺简单,可控性强,颗粒分散度好,颗粒尺寸较为均匀,适用于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 锻炼 效应 交换 偏置 体系 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种无磁锻炼效应交换偏置体系的制备方法,其特征在:利用离子注入技术,将反铁磁性的Cr纳米颗粒注入到铁磁性的Fe母体中,形成核‑基底结构交换偏置体系,所述将反铁磁性的Cr纳米颗粒注入到铁磁性的Fe母体中的偏置体系的制备包括以下步骤:步骤一、核‑基体结构交换偏置体系基体的制备a、选择高纯金属靶材,将靶材装入磁过滤真空阴极电弧沉积室,其中高纯金属靶材包含非铁磁性靶材和缓冲层靶材,非铁磁性靶材为Cr,缓冲层靶材为金属Ta、Pt、Cr、Cu、Ag或Au的任一种;b、选择玻璃或者单晶硅中的任一种作为用于沉积基体的衬底,将衬底清洗后放入磁过滤真空阴极电弧沉积室样品台;安装好弧源,待沉积室内的本底真空小于5.0×10‑4Pa时,通过调节脉冲电压、弧电压、弧电流、触发频率、靶束流以及沉积时间,依次在衬底上沉积一定厚度缓冲层和基体层;步骤二、向基体中注入纳米颗粒形成核‑基体结构交换偏置体系c、向步骤b中沉积好的基体移入离子注入室,安装好离子源,所述离子源为Fe,待离子注入室内本体真空小于5.0×10‑4Pa时,调节注入加速电压、弧电压、弧电流、触发频率、离子束电流、注入剂量进行注入,得到核‑基体结构交换偏置体系,注入完毕后,将核‑基体结构交换偏置体系转移到磁过滤真空阴极电弧沉积室,通过调节脉冲电压、弧电压、弧电流、触发频率、靶束流以及沉积时间,在得到的核‑基体结构交换偏置镀上一层厚度为1~10nm的防氧化保护膜,备用;步骤三、退火d、将步骤c中制备的核‑基体结构交换偏置体系放入真空退火炉中进行退火,所述退火温度为200‑800℃,退火时间为0.5‑24小时,退火炉真空度小于1.0×10‑4Pa。
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