[发明专利]一种Ⅲ族氮化物外延晶体及其生长方法在审
| 申请号： | 201510377450.7 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104979442A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 周玉刚;孙陈红;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;C30B25/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法，自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力，低缺陷密度等优点，且其制备工艺可控，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 外延 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物外延晶体，其特征在于：自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。
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