[发明专利]避免晶圆边缘剥落缺陷的方法在审
| 申请号： | 201510375659.X | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105047535A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种避免晶圆边缘剥落缺陷的方法，包括：第一步骤，其中在晶圆上沉积金属薄膜；第二步骤，其中对晶圆上沉积的金属薄膜进行研磨，从而去除晶圆边缘上的铝薄膜，而仅仅留下晶圆正面的金属薄膜；第三步骤，其中对金属薄膜执行刻蚀工艺。本发明在刻蚀金属薄膜之前研磨消除了晶圆侧部边缘处的金属薄膜，由此提供了一种可以去除剥落缺陷源头的方法，从而根本上控制剥落缺陷，为良率提升做出贡献。通过应用本发明，可以从根本上消除剥落缺陷源头，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 边缘 剥落 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种避免晶圆边缘剥落缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤，其中在晶圆上沉积金属薄膜；第二步骤，其中对晶圆上沉积的金属薄膜进行研磨，从而去除晶圆边缘上的铝薄膜，而仅仅留下晶圆正面的金属薄膜；第三步骤，其中对金属薄膜执行刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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