[发明专利]一种ZnO纳米管阵列的生长方法在审

专利信息
申请号: 201510374900.7 申请日: 2015-06-30
公开(公告)号: CN105018918A 公开(公告)日: 2015-11-04
发明(设计)人: 郑佳红;牛世峰;管科杰 申请(专利权)人: 长安大学
主分类号: C23C22/60 分类号: C23C22/60;B82Y40/00
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 李郑建;孙雅静
地址: 710064 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种ZnO纳米管阵列的生长方法,该方法包括在碱性条件下,以Zn片作为衬底和反应源,通过水热合成法制备ZnO纳米阵列,ZnO纳米管阵列的形成首先在衬底上形成ZnO纳米片,然后纳米片生长成纳米棒,纳米棒中心部位侵蚀,最后侵蚀成为纳米管;本发明水热法不仅生长温度低、成本低,且操作简单,便于大规模生长,仅通过调节生长时间就可以成功实现ZnO纳米管阵列的可控生长,本发明为满足新型设备和产业的发展所需的低成本大规模生产技术的要求带来了希望,为其他纳米材料尺寸可控生长提供了有效后备方法。
搜索关键词: 一种 zno 纳米 阵列 生长 方法
【主权项】:
一种ZnO纳米管阵列的生长方法,其特征在于,该方法包括在碱性条件下,在Zn表面通过水热合成法制备ZnO纳米管阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长安大学,未经长安大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510374900.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top