[发明专利]一种ZnO纳米管阵列的生长方法在审
申请号: | 201510374900.7 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN105018918A | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
发明(设计)人: | 郑佳红;牛世峰;管科杰 | 申请(专利权)人: | 长安大学 |
主分类号: | C23C22/60 | 分类号: | C23C22/60;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 李郑建;孙雅静 |
地址: | 710064 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种ZnO纳米管阵列的生长方法,该方法包括在碱性条件下,以Zn片作为衬底和反应源,通过水热合成法制备ZnO纳米阵列,ZnO纳米管阵列的形成首先在衬底上形成ZnO纳米片,然后纳米片生长成纳米棒,纳米棒中心部位侵蚀,最后侵蚀成为纳米管;本发明水热法不仅生长温度低、成本低,且操作简单,便于大规模生长,仅通过调节生长时间就可以成功实现ZnO纳米管阵列的可控生长,本发明为满足新型设备和产业的发展所需的低成本大规模生产技术的要求带来了希望,为其他纳米材料尺寸可控生长提供了有效后备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 zno 纳米 阵列 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种ZnO纳米管阵列的生长方法,其特征在于,该方法包括在碱性条件下,在Zn表面通过水热合成法制备ZnO纳米管阵列。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
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