[发明专利]MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510373347.5 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328529B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有层间介质层，所述层间介质层内具有贯穿所述层间介质层厚度的开口；形成覆盖所述开口底部和侧壁的栅介质层；形成覆盖所述栅介质层表面的第一功函数层；对所述第一功函数层进行第一离子注入，使得所述第一功函数层转变为第二功函数层；形成覆盖所述第二功函数层表面的栅电极层，所述栅电极层与所述层间介质层表面齐平。所述MOS晶体管的形成方法提高了MOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有层间介质层，所述层间介质层内具有贯穿所述层间介质层厚度的开口；形成覆盖所述开口底部和侧壁的栅介质层；形成覆盖所述栅介质层表面的第一功函数层，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，所述第一功函数层的材料为TiN，所述MOS晶体管为NMOS晶体管，所述第一功函数层的材料为TiAl；对所述第一功函数层进行第一离子注入，使得所述第一功函数层转变为第二功函数层，所述MOS晶体管为PMOS晶体管，对第一功函数层进行第一离子注入采用的离子为硅离子且所述第二功函数层具有非晶结构，所述MOS晶体管为NMOS晶体管，对第一功函数层进行第一离子注入采用的离子为碳离子且所述第二功函数层中形成Al‑C键以抑制Al的扩散；形成覆盖所述第二功函数层表面的栅电极层，所述栅电极层与所述层间介质层表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
