[发明专利]一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器

摘要

本发明公开了一种互补金属氧化物半导体全集成71-76GHz LC压控振荡器，采用差分NMOS交叉耦合结构实现，与PMOS交叉耦合结构相比，贡献的寄生电容较小，因而能够获得更高的振荡频率。此外，压控振荡器中的差分电感采用U形传输线差分电感，具有较小的感值，可以进一步提高振荡频率。本发明的振荡电路，其调谐范围为70.97-76.76GHz，在中心频率73.86GHz下，1MHz和10MHz频偏处相位噪声分别为-89.47dBc/Hz和-116.2dBc/Hz，功耗为10.8毫瓦。可作为E-band无线通信系统的本振信号源，也可作为频率综合器中的压控振荡器使用。

主权项

一种互补金属氧化物半导体全集成71‑76GHz LC压控振荡器，其特征在于该振荡器器由NMOSFET器件和无源器件相结合组成的能产生负阻的交叉耦合结构，其具体形式为：第一NMOS管M1的源极与第二NMOS管M2的源极相连，并共同与地线GND相连，第一NMOS管M1的漏极与第二NMOS管M2的栅极相连，第二NMOS管M2的漏极与第一NMOS管M1的栅极相连，第一NMOS管M1的漏极与第一可变电容C1的一端相连，第一可变电容C1的另一端与第二可变电容C2的一端相连并与外部调谐控制端Vtune相连，第二可变电容C2的另一端与第二NMOS管M2的漏极相连，第一NMOS管M1的漏极与传输线差分电感L1的一端相连，传输线差分电感L1的另一端与第二NMOS管M2的漏极相连，传输线差分电感L1的中间抽头与电源线VDD相连；第一NMOS管M1的漏极为振荡信号的同相输出端VP，第二晶体管M2的漏极为振荡信号的反相输出端VN。