[发明专利]一种功率二极管的制造方法及功率二极管

摘要

本发明涉及一种功率二极管的制造方法及功率二极管，所述方法通过在半导体衬底上制备N型外延层；在所述N型外延层上方依次制备氧化硅层和多晶硅层；刻蚀所述氧化硅层和多晶硅层的预设位置以形成与N型外延层相接触的沟槽；在所述N型外延层内形成P型离子注入区和N型离子注入区，以形成NPN结构；在所述多晶硅层上方形成金属层，所述金属层作为所述功率二极管的阳极。本发明的功率二极管反向阻断电压较高，并且通态压降小于传统结构的二极管，反向恢复时间较短，并且泄漏电流水平要远低于传统器件；在生产工艺上，通过控制沟槽和沟槽的介质侧墙来形成NPN结构，工艺比较简单，降低了器件的制造成本。

主权项

一种功率二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上制备N型外延层；在所述N型外延层上依次制备氧化硅层和多晶硅层；刻蚀所述氧化硅层和多晶硅层的预设位置以形成沟槽，使所述沟槽底部与所述N型外延层相接触；在所述N型外延层对应于所述沟槽的位置形成第一次P型离子注入区，在所述第一次P型离子注入区中形成N型离子注入区，在所述第一次P型离子注入区中形成第二次P型离子注入区；在所述多晶硅层上方形成金属层，所述金属层接触所述第二次P型离子注入区和所述N型离子注入区。