[发明专利]嵌入式图像传感器封装及其制造方法有效
申请号: | 201510349030.8 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105742301B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 李相龙;李昇铉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;宋教花 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种嵌入式图像传感器封装及其制造方法。本发明的嵌入式图像传感器封装包括:核心层,所述核心层中具有凹处;图像传感器芯片,所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面,在所述上表面上设置有光接收器和连接构件;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上,并且具有开口,所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域;保护层,所述保护层设置在所述光接收器以及所述第一绝缘层之间以包围所述光接收器;以及透光层,所述透光层设置在所述光接收器上。所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置。 | ||
搜索关键词: | 嵌入式 图像传感器 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种嵌入式图像传感器封装,该嵌入式图像传感器封装包括:核心层,所述核心层中具有凹处;图像传感器芯片,所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面,在所述上表面上设置有光接收器和连接构件;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上,并且具有开口,所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域;保护层,所述保护层设置在所述光接收器以及所述第一绝缘层之间并且包围所述光接收器;以及透光层,所述透光层设置在所述光接收器之上,其中,所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510349030.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带保险舌和换向块的插芯锁
- 下一篇:带式输送机用缓冲型楔块式断带制动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的