[发明专利]反应烧结碳化硅陶瓷均温板在审

专利信息
申请号: 201510334220.2 申请日: 2015-06-17
公开(公告)号: CN104926311A 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 亓锡云;姜刚;王明祥;郭焕军;石威;宋传忠 申请(专利权)人: 潍坊华美精细技术陶瓷股份有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/64
代理公司: 山东博睿律师事务所 37238 代理人: 丁波
地址: 261200 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷均温板,其制造方法包括以下步骤:制备粉料,将碳与碳化硅混合,加入硬脂酸锌、聚乙烯醇喷雾造粒,得到粉料;压制坯块;真空烧结,在坯块表面放置硅粉,进行反应烧结;氧化烧结,将得到的均温板进行氧化烧结。本发明适用不同厚度均温板外形结构形式的制作,材质致密、尺寸精确、成品率高。本发明制作的均温板具有良好的热传导性能、较高的高温强度和低热膨胀系数,良好的高温抗腐蚀性能,尤其是通过,超过正常反应温度的1800~1900℃烧结,使渗硅反应更加充分,保证了材质的致密,避免了产品的开裂;另外,通过高温氧化烧结,可检验产品高温状态下的应力变化,杜绝应用过程中的质量问题发生,降低应用成本。
搜索关键词: 反应 烧结 碳化硅 陶瓷 均温板
【主权项】:
反应烧结碳化硅陶瓷均温板,其特征是,其制造方法包括以下步骤:制备粉料:将碳与碳化硅按1:(2~5)的质量比混合后,加入总质量1%~4%的硬脂酸锌作为润滑剂,总质量15%~25%的聚乙烯醇作为粘接剂,喷雾造粒,得到粉料;压制坯块;真空烧结:在坯块表面放置相对坯块重量30~40%的硅粉,进行反应烧结;在28~36h时间段内,抽真空升温加热到1800~1900℃,经渗硅、恒温,然后充氦气降温至1100~1200℃,再充氮气降温到120℃以下;氧化烧结:将得到的均温板进行氧化烧结;在200~250h时间段内,缓慢升温至1100~1200℃,恒温24h,再缓慢降温至120℃以下。
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